Flash-Speicherdichte steigt & erste GDDR6-Module verschickt

Der Chiphersteller Micron hat eine Roadmap präsentiert, die neue Flash und GDDR-Speicher verspricht. Noch in diesem Jahr möchte das Unternehmen große Fortschritte im Bereich des Flash-Speichers machen. Daher soll die 3D-V-NAND Technologie zum Einsatz kommen, bei der die einzelnen Elemente nicht nur in einer Ebene angeordnet, sondern auch übereinander gestapelt werden. Beim neuen Flashspeicher sollen 64 Ebenen zum Einsatz kommen, sodass 256 Gigabyte auf 59 Quadratmillimetern möglich sein sollen. Die kleinere Größe der Dies brauchen somit nicht nur weniger Platz, sondern dürften auch für einen effizienteren Umgang mit dem Rohmaterial sorgen. Preislich ist keine nennenswerte Steigerung zu erwarten.

Auch Gamern macht Micron Hoffnung: Im Jahr 2018 wird es nach aller Wahrscheinlichkeit neuen GDDR-Arbeitsspeicher geben. Aktuell ist GDDR5X die neueste Errungenschaft. Dabei handelt es sich jedoch nur um eine Verbesserung des älteren GDDR5, der bis zu 10 Gigabit pro Sekunde erreichen soll. Mit GDDR6 sind sogar 16 Gigabit pro Sekunde geplant.

Im Bereich DRAM gibt es eine weniger spannende Neuerung: Nachdem Micron die 20-Nanometer-Fertigung weit vorangebracht hat, ist das 1X-Verfahren geplant. Dieses Verfahren soll auch die Fertigung in 16 Nanometern möglich machen. Ab dem zweiten Halbjahr dieses Jahren soll auch die Entwicklung von 1Y und 1Z beginnen. Wie es um Intels 3D-Xpoint-Technologie steht, bleibt noch abzuwarten.

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• winfuture.de

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