Intel schließt 32nm-Prozessentwicklung erfolgreich ab
Die Größe der Transistoren auf dem Chip wird hierbei weiter auf nun mehr 32nm (1nm = 1 Milliardstel Meter) „geschrumpft“. Durch die neue Technik erhofft man sich eine bessere Energieeffizienz und eine gesteigerte Leistungsfähigkeit.
"Die Prozessoren auf Basis des 32nm-Herstellungsverfahrens werden mit der zweiten Generation der High-k und Metal Gate Transistor-Technologie gefertigt. Dabei verwendet Intel die 193nm-Immersionslithographie für die kritischen Schichten auf dem Chip sowie eine verbesserte Transistor-Strain Technik. Bei dieser wird das natürliche Kristallgitter des Siliziums künstlich „gestreckt“, was die Beweglichkeit der Ladungsträger steigert und so der Transistor schneller schaltet. Auf diese Weise lassen sich die Leistungsfähigkeit wie auch die Energieffizienz der auf 32nm-Technologie basierten Prozessoren entscheidend optimieren."
Weitere Details zur 32nm-Technik wird Intel kommende Woche vom 15. bis 17. Dezember auf der IEDM (International Electron Devices Meeting) in San Francisco bekannt geben.








