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Crossbar präsentiert RRAM

Ein kalifornisches Start-Up Unternehmen namens Crossbar stellte gestern auf ihrer Webseite die neue RRAM Technologie vor. Der neue „resistive RAM“ soll laut Angaben des Unternehmens 20 mal höhere Schreibgeschwindigkeiten, 20 mal weniger Strom verbrauchen und zehn mal länger halten als die besten aktuell erhältlichen NAND-Speicherchips. Die Speicherdichte auf einem dieser RRAM-Chips ist extrem hoch, es können bis zu einem Terrabyte Daten auf einem Chip, welcher kleiner als eine Briefmarke ist, gespeichert werden.

Laut Crossbar wird nicht wie bei einer normalen NAND-Speicherzelle eine Information in Form von elektrischen Ladungen gepeichert, sondern indem der Widerstand verändert wird, dieser Prozess verbraucht weniger elektrische Leistung und kann Daten bei einer höheren Dichte abspeichern. Eine RRAM Zelle besteht aus einer nicht metallischen Elektrode über der ein Schaltmedium aus Silizium und darüber eine metallische Elektrode gestapelt sind. Die neue Technik wird ihren Einzug nicht nur in Highend Computer haben, sondern soll auch für den mobilen Sektor sehr gut geeignet seien, da die Akku-Laufzeit der Smartphones und Tablets deutlich verbessert werden könnte und zusätzlich wird die Leistung massiv gesteigert.

RRAM

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Quellen:
standard_avatar_apc Redaktion

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