Der Speicherhersteller SanDisk kündigt an, dass die Fertigung von Flashspeicher im 15-Nanometer-Verfahren ab der zweiten Jahreshälfte dieses beginnen soll. Durch die 1Z-Technologie wird es möglich sein, bei gleichbleibender Größe der Flashspeicher, höhere Kapazitäten zu realisieren.
Das 15-nm-Fertigunsverfahren wird Flashspeicher mit zwei (X2) und drei (X3) Bits pro Zelle betreffen. Die All-Bit-Line-Architektur (ABL), die eigenentwickelte Programmieralgorithmen und Pläne zur Multi-Level-Datenspeicherung enthält, wurde in die 1Z-Technologie implementiert, um NAND-Flash-Lösungen anzubieten, die keine Abstriche in der Speicherperformance oder Zuverlässigkeit offenbaren. SanDisks 1Z-Technologie wird in einer Vielzahl von Produkten Verwendung finden, angefangen bei Wechselkarten bis hin zu Enterprise Solid State Drives.
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Quellen:- Pressemitteilung
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