Die Chiphersteller Intel und Micron haben als neustes Produkt ihrer Kooperation im Flashspeichersegment den Produktionsstart von Flashspeicherbausteinen mit 3D NAND Technologie bekannt gegeben. Durch die Ausweitung der NAND Bausteine in die dritte Dimension, also in die Höhe, kann die Speicherdichte zukünftiger Produkte auf Flashspeicherbasis deutlich angehoben werden.
Der 3D NAND setzt dabei auf die so genannten Floating-Gate-Zellen, welche eine der Grundlagen des Erreichens der erhöhten Speicherdichte ist. So gibt Intel an, dass die Speicherdichte der neuen NAND-Generation bis zu drei Mal höher ausfällt, als bei anderen aktuell verwendeten Speicherzellen. Konkret lassen sich mit der 3D NAND Technologie bis zu 48 GB pro NAND-Die abspeichern. Ein einziges Chip-Package, also der Baustein, der beispielsweise auf der SSD-Platine sichtbar ist, fasst dann bis zu 750 GB. Diese neue Generation von TLC-NAND ermöglicht es somit Stick-SSDs (mSATA und m.2) mit bis zu 3,5 TB anzubieten. Für SSDs im bekannten 2,5-Zoll-Format lassen sich so sogar bis zu 10 TB in einem Laufwerk unterbringen.
Die MLC-Version der 3D NAND Chips, welche bis zu 256 GBit pro Die (oder 32 GB) speichern kann, ist nun in Testproduktion gegangen. Die TLC-Variante mit bis zu 384 Gbit pro Die (bzw. 48 GB) soll ebenfalls im Frühjahr in Musterproduktion gehen. Die Massenproduktion beider Chipsorten ist für das viertel Quartal 2015 geplant. Zudem arbeiten Micron sowie auch Intel an neuen SSD-Produkten auf Basis der 3D NAND Technologie. Diese werden für das Jahr 2016 am Markt erwartet.
Quellen- Intel
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