Samsung beginnt mit der Massenfertigung von 10-nm-DRAM-Chips der zweiten Generation

Samsung fertigt ab sofort DRAM-Speicherchips der zweiten Generation im großen Stile an, unter die 10-nm-Klasse fallen dabei Produkte mit 10-Nanometer- bis 19-Nanometer-Fertigung. Die zweite Generation von 8 Gigabit DDR4 DRAM der 10-nm-Klasse soll einen Produktivitätsschub von bis zu 30 Prozent gegenüber der ersten Generation verbuchen können. Auch die Leistung habe um zehn Prozent zugenommen, während die Energieeffizienz um ganze 15 Prozent verbessert worden sein soll. So soll die Geschwindigkeit der neuen Chips bei 3.600 MB/s pro Pin liegen, während es bei den DDR4-Chips erster Generation noch 3.200 MB/s waren.

(Bild: Samsung)

Den Leistungsanstieg des neuen 10-nm-Klasse DRAM erklärt Samsung unter anderem mit einer neuen Technologie, welche besonders zuverlässig erkennen soll, welche Daten in welcher Zelle gespeichert sind, womit wiederum die Schaltungsintegration deutlich verbessert werden soll. Auch greift Samsung auf sogenannte Air-Spacer zurück, bei denen es sich um Luftschichten zwischen elektronischen Leitungen und Schaltungen handelt. So sollen die DRAM-Chips dichter gefertigt und schneller betrieben werden können.

(Bild: Samsung)

Nach eigenen Angaben sei Samsung mit der Entwicklung dieser Technologien ein Durchbruch gelungen, welcher die Produktion der neuen Produkte deutlich beschleunige. Aber auch die Produktion der ersten Generation von DRAM der 10-nm-Klasse soll angekurbelt werden, um der enormen Nachfrage entgegen zu kommen.

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• Samsung

Robin Cromberg

... studiert Asienwissenschaften und Chinesisch an der Universität Bonn und ist als Redakteur hauptsächlich für die Ressorts der Eingabe- und Audiogeräte bei Allround-PC.com zuständig, schreibt aber auch über Produktneuheiten aus vielen anderen Bereichen.

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