Für gewöhnlich haben eingeladene Medienvertreter nach der Ankündigung eines neuen Snapdragon-SoC der 8er-Serie die Chance, diesen vor Ort beim Snapdragon Tech Summit auf einem Demo-Gerät zu testen und Benchmarks auszuführen. Da das Qualcomm-Event dieses Jahr nur digital stattfand, stellte das Unternehmen nun eigene Benchmark-Ergebnisse in Tabellenform mitsamt einem Video der einzelnen Durchläufe zur Verfügung. Bereits bei der Präsentation des Snapdragon 888 versprach Qualcomm eine 25 Prozent höhere CPU-Leistung und eine 35 Prozent bessere GPU-Leistung.
Infos zum Demo-Gerät und der Vergleichbarkeit
Die Tests wurden auf einem Demo-Gerät mit zwölf Gigabyte LPDDR5-Arbeitsspeicher, 512 Gigabyte nicht näher spezifiziertem UFS-Massenspeicher, einem 3.780-Milliamperestunden-Akku und einem 6,65 Zoll großen Full-HD-Display mit 120 Hertz augeführt. Dabei verblieb das Gerät den Angaben zufolge stets im Normalmodus. Im letzten Jahr hatten Medienvertreter beim Snapdragon 865 die Wahl zwischen aktivem Normalmodus oder Performance-Modus.
So sieht ein Demo-Gerät von Qualcomm aus.
Letzterer sorgt dafür, dass die Taktraten der CPU schneller steigen und die Performance-Kerne schneller zum Einsatz kommen. Eine Übertaktung erfolgt beim Performance-Modus nicht, aber die Akkulaufzeit verkürzt sich entsprechend. Beispielsweise bei Xiaomi-Smartphones nennt sich dieser Modus “Game Booster”. Beim Snapdragon Tech Summit 2019 haben wir mit beiden Modi getestet, dennoch lassen sich die Ergebnisse beider Demo-Geräte streng genommen nur bei Geekbench 1 : 1 aufgrund identischer Benchmark-Versionen vergleichen.
Durch Updates verändern sich bei Benchmarks oft Testparameter oder das Wertungssystem, weshalb ein Smartphone mit einer Version von Anfang 2020 ein stark anderes Ergebnis im Vergleich zu einer Version von Ende 2020 erhalten kann. Zudem bot das Demo-Gerät aus 2019 zwar auch zwölf Gigabyte LPDDR5-Arbeitsspeicher, aber ein QHD-Display. Wir haben euch die Resultate dennoch mitsamt weiteren Testergebnissen folgend aufgelistet. Bei den Angaben zum Snapdragon 888 handelt es sich Mittelwerte aus drei verschiedenen Durchläufen.
Die Ergebnisse im Überblick
| Gerät/Benchmark | AnTuTu | Geekbench 5 (Single-Core) | Geekbench 5 (Multi-Core) |
|---|---|---|---|
| Qualcomm-Referenzgerät (Snapdragon 888) | 735.439 Punkte (V 8.3.4) | 1.135 Punkte (V 5.0.2) | 3.794 Punkte (V 5.0.2) |
| Qualcomm-Referenzgerät (Snapdragon 865) | 557.028 Punkte / 566.931 Punkte mit Performance-Modus (V 8.0.5) | 926 Punkte / 933 Punkte mit Performance-Modus (V 5.0.2) | 3.446 Punkte / 3.464 Punkte mit Performance-Modus (V 5.0.2) |
| Xiaomi Mi 10 (SD 865, 8 + 128 GB) | 577.351 Punkte (V 8.3.3) | 904 Punkte (V 5.1.1) | 3.354 Punkte (V 5.1.1) |
| Samsung Galaxy S20 FE 5G (SD 865, 6 + 128 GB) | 566.053 Punkte (V 8.4.3) | 897 Punkte (V 5.2.5) | 3.240 Punkte (V 5.2.5) |
| Asus ROG Phone 3 (SD 865+, 12 + 512 GB) | 641.574 Punkte mit Performance-Modus (V 8.4.3) | 993 Punkte mit Performance-Modus (V 5.2.0) | 3.362 Punkte mit Performance-Modus (V 5.2.0) |
In Prozentangaben fallen also folgende Unterschiede auf:
- Der Snapdragon 888 ist im Vergleich zum Xiaomi Mi 10 (Test) rund 27 Prozent besser in AnTuTu, 25,5 Prozent besser in Geekbench (Single-Core) und 13 Prozent besser in Geekbench (Multi-Core)
- Im Vergleich zum Asus ROG Phone 3 (Test) schneidet der Snapdragon 888 rund 14 Prozent besser in AnTuTu und Geekbench (Single Core) und 13 Prozent besser in Geekbench (Multi-Core)
- Im Vergleich zum Snapdragon-865-Prototyp mit Normalmodus ist der Snapdragon 888 rund 32 Prozent besser in AnTuTu, 22,5 Prozent besser in Geekbench (Single-Core) und zehn Prozent besser in Geekbench (Multi-Core)
Qualcomms eigene Grafik mit weiteren Benchmarks seht ihr hier:
Bild: Qualcomm
Erste kommerzielle Geräte mit dem neuen Qualcomm-Chip erscheinen im ersten Quartal 2021. Wenn wir entsprechend unser erstes Testgerät erhalten, werden wir selbstverständlich eigene Tests durchführen.
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Schreibt seit 2020 für Allround-PC zu Technik aller Art und hat schon in jedem Ressort Artikel verfasst. Abseits des Redakteur-Jobs studiert Tim Technikjournalismus an der Hochschule Bonn-Rhein-Sieg.
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